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DMPH6050SFGQ-7

DMPH6050SFGQ-7

僅供參考

型號 DMPH6050SFGQ-7
PNEDA編號 DMPH6050SFGQ-7
描述 MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 42,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMPH6050SFGQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMPH6050SFGQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMPH6050SFGQ-7, DMPH6050SFGQ-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 547.23 KB)
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DMPH6050SFGQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.1A (Ta), 18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1.293nF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8320pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

294pF @ 10V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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