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DMS3015SSS-13

DMS3015SSS-13

僅供參考

型號 DMS3015SSS-13
PNEDA編號 DMS3015SSS-13
描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMS3015SSS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMS3015SSS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMS3015SSS-13, DMS3015SSS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 401.42 KB)
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DMS3015SSS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30.6nC @ 10V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1276pF @ 15V
FET功能Schottky Diode (Body)
功耗(最大值)1.55W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

265mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

175nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7850pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 58A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 20mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3290W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

830mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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