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DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

僅供參考

型號 DMT10H014LSS-13
PNEDA編號 DMT10H014LSS-13
描述 MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT10H014LSS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT10H014LSS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT10H014LSS-13, DMT10H014LSS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 415.84 KB)
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DMT10H014LSS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1871pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 46µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.07A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

8.33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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