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DMT2005UDV-13

DMT2005UDV-13

僅供參考

型號 DMT2005UDV-13
PNEDA編號 DMT2005UDV-13
描述 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT2005UDV-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT2005UDV-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMT2005UDV-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs46.7nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2060pF @ 10V
功率-最大900mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc), 9.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V, 15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V, 600pF @ 25V

功率-最大

27W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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