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DMT3009LFVWQ-13

DMT3009LFVWQ-13

僅供參考

型號 DMT3009LFVWQ-13
PNEDA編號 DMT3009LFVWQ-13
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
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庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT3009LFVWQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT3009LFVWQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT3009LFVWQ-13, DMT3009LFVWQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 570.84 KB)
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DMT3009LFVWQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3.8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds823pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包裝PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

95W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 140A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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