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DMT3022UEV-7

DMT3022UEV-7

僅供參考

型號 DMT3022UEV-7
PNEDA編號 DMT3022UEV-7
描述 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT3022UEV-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT3022UEV-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMT3022UEV-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.8V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.9nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds903pF @ 15V
功率-最大900mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerDI3333-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 15V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2615pF @ 30V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 10V

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2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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