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DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

僅供參考

型號 DMT6010LPS-13
PNEDA編號 DMT6010LPS-13
描述 MOSFET N-CH 60V 13.5A
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT6010LPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT6010LPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT6010LPS-13, DMT6010LPS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 559.22 KB)
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DMT6010LPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13.5A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2090pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 113W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.6pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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16A (Ta), 72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

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