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DMT69M8LFV-13

DMT69M8LFV-13

僅供參考

型號 DMT69M8LFV-13
PNEDA編號 DMT69M8LFV-13
描述 MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMT69M8LFV-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMT69M8LFV-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMT69M8LFV-13, DMT69M8LFV-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 530.8 KB)
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DMT69M8LFV-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.5nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1925pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

103nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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