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DMTH10H015SPS-13

DMTH10H015SPS-13

僅供參考

型號 DMTH10H015SPS-13
PNEDA編號 DMTH10H015SPS-13
描述 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH10H015SPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH10H015SPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMTH10H015SPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2343pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1245pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

173W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 82A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3825pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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