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DMTH4014LPDQ-13

DMTH4014LPDQ-13

僅供參考

型號 DMTH4014LPDQ-13
PNEDA編號 DMTH4014LPDQ-13
描述 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH4014LPDQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH4014LPDQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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DMTH4014LPDQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds733pF @ 20V
功率-最大2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PowerDI5060-8

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66A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5330pF @ 40V

功率-最大

39W

工作溫度

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

389pF @ 10V

功率-最大

730mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

147A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 20mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

322nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 1000V

功率-最大

625W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

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