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DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

僅供參考

型號 DMTH43M8LPSQ-13
PNEDA編號 DMTH43M8LPSQ-13
描述 MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 19,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH43M8LPSQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH43M8LPSQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMTH43M8LPSQ-13, DMTH43M8LPSQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 659.06 KB)
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DMTH43M8LPSQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.367nF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta), 44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

827pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.27W (Ta), 33.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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