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DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

僅供參考

型號 DMTH6004SCTBQ-13
PNEDA編號 DMTH6004SCTBQ-13
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO263
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6004SCTBQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6004SCTBQ-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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DMTH6004SCTBQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4556pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)4.7W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263AB
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

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