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DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

僅供參考

型號 DMTH6010SCT
PNEDA編號 DMTH6010SCT
描述 MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6010SCT資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6010SCT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMTH6010SCT, DMTH6010SCT數據表 (總頁數: 7, 大小: 477.25 KB)
PDFDMTH6010SCT數據表 封面
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DMTH6010SCT規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1940pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 46A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 46µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3

包裝/箱

TO-220-3

DMN10H170SFG-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

122mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870.7pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 71A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2474pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 105W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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