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DMTH6016LFVWQ-7

DMTH6016LFVWQ-7

僅供參考

型號 DMTH6016LFVWQ-7
PNEDA編號 DMTH6016LFVWQ-7
描述 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH6016LFVWQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH6016LFVWQ-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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DMTH6016LFVWQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)41A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds939pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)1.17W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount, Wettable Flank
供應商設備包裝PowerDI3333-8
包裝/箱8-PowerVDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3590pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 77µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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