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DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

僅供參考

型號 DMTH8012LPS-13
PNEDA編號 DMTH8012LPS-13
描述 MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMTH8012LPS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMTH8012LPS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMTH8012LPS-13, DMTH8012LPS-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 533.63 KB)
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DMTH8012LPS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta), 72A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1949pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)2.6W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerDI5060-8
包裝/箱8-PowerTDFN

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技術

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.2A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2516pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta), 43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

166W (Tc)

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