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DP0150BLP4-7

DP0150BLP4-7

僅供參考

型號 DP0150BLP4-7
PNEDA編號 DP0150BLP4-7
描述 TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DP0150BLP4-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DP0150BLP4-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
DP0150BLP4-7, DP0150BLP4-7數據表 (總頁數: 5, 大小: 289.23 KB)
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DP0150BLP4-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大450mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XFDFN
供應商設備包裝X2-DFN1006-3

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5A, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

2W

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

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工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

50mV @ 20mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

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工作溫度

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