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DRDPB26W-7

DRDPB26W-7

僅供參考

型號 DRDPB26W-7
PNEDA編號 DRDPB26W-7
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DRDPB26W-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DRDPB26W-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DRDPB26W-7, DRDPB26W-7數據表 (總頁數: 9, 大小: 348.93 KB)
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DRDPB26W-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)220 Ohms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce47 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Through Hole

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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