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DS1220Y-200IND+

DS1220Y-200IND+

僅供參考

型號 DS1220Y-200IND+
PNEDA編號 DS1220Y-200IND
描述 IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 1,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1220Y-200IND+資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1220Y-200IND+
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1220Y-200IND+, DS1220Y-200IND+數據表 (總頁數: 9, 大小: 201.16 KB)
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DS1220Y-200IND+規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁200ns
訪問時間200ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝24-EDIP

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時鐘頻率

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訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

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內存大小

16M (4096 pages x 512 bytes)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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