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DS1230Y-100+

DS1230Y-100+

僅供參考

型號 DS1230Y-100+
PNEDA編號 DS1230Y-100
描述 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 2,119
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1230Y-100+資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1230Y-100+
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1230Y-100+, DS1230Y-100+數據表 (總頁數: 10, 大小: 216.05 KB)
PDFDS1230ABP-70IND+數據表 封面
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DS1230Y-100+規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝28-EDIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Adesto Technologies

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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安裝類型

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (64M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

3Tb (384G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

97µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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