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DS1265AB-100

DS1265AB-100

僅供參考

型號 DS1265AB-100
PNEDA編號 DS1265AB-100_5B
描述 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS1265AB-100資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS1265AB-100
類別半導體內存IC內存
數據表
DS1265AB-100, DS1265AB-100數據表 (總頁數: 8, 大小: 190.26 KB)
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DS1265AB-100規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.75V ~ 5.25V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝36-EDIP

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

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