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DS2227-100

DS2227-100

僅供參考

型號 DS2227-100
PNEDA編號 DS2227-100
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 72SIMM
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS2227-100資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS2227-100
類別半導體內存IC內存
數據表
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DS2227-100規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (128K x 32, 256K x 16, 512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Socket
包裝/箱72-SIMM
供應商設備包裝72-SIMM

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (64M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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