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DS2430AP+T&R

DS2430AP+T&R

僅供參考

型號 DS2430AP+T&R
PNEDA編號 DS2430AP-T-R
描述 IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 30,216
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DS2430AP+T&R資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DS2430AP+T&R
類別半導體內存IC內存
數據表
DS2430AP+T&R, DS2430AP+T&R數據表 (總頁數: 19, 大小: 860.61 KB)
PDFDS2430AP/T&R數據表 封面
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DS2430AP+T&R規格

制造商Maxim Integrated
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256b (32 x 8)
內存接口1-Wire®
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間15µs
電壓-供電-
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
供應商設備包裝6-TSOC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256b (16 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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