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DSB5821

DSB5821

僅供參考

型號 DSB5821
PNEDA編號 DSB5821
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO204AH
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSB5821資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSB5821
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DSB5821, DSB5821數據表 (總頁數: 2, 大小: 37.17 KB)
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DSB5821規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1.1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

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