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DSEI20-12A

DSEI20-12A

僅供參考

型號 DSEI20-12A
PNEDA編號 DSEI20-12A
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC
制造商 IXYS
單價
1 ---------- $59.8657
100 ---------- $57.0595
250 ---------- $54.2533
500 ---------- $51.4471
750 ---------- $49.1086
1,000 ---------- $46.7701
庫存 3,299
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSEI20-12A資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSEI20-12A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DSEI20-12A, DSEI20-12A數據表 (總頁數: 2, 大小: 53.82 KB)
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DSEI20-12A規格

制造商IXYS
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)17A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.15V @ 12A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)60ns
當前-反向泄漏@ Vr750µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-41

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2.4A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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50V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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