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DSEP30-12AR

DSEP30-12AR

僅供參考

型號 DSEP30-12AR
PNEDA編號 DSEP30-12AR
描述 DIODE GP 1.2KV 30A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSEP30-12AR資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSEP30-12AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DSEP30-12AR, DSEP30-12AR數據表 (總頁數: 5, 大小: 350.13 KB)
PDFDSEP30-12AR數據表 封面
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DSEP30-12AR規格

制造商IXYS
系列HiPerFRED™
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.74V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)40ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOPLUS247™
供應商設備包裝ISOPLUS247™
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

20A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 20A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1270pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 20V

電容@ Vr,F

130pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

450pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

SS12P3LHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

930pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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