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DSF01S30SC(TPL3)

DSF01S30SC(TPL3)

僅供參考

型號 DSF01S30SC(TPL3)
PNEDA編號 DSF01S30SC-TPL3
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SC2
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSF01S30SC(TPL3)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSF01S30SC(TPL3)
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DSF01S30SC(TPL3), DSF01S30SC(TPL3)數據表 (總頁數: 4, 大小: 195.71 KB)
PDFDSF01S30SC數據表 封面
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DSF01S30SC(TPL3)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 30V
電容@ Vr,F9.3pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝SC2
工作溫度-結點125°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

2A

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790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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