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DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

僅供參考

型號 DSK10E-AT1
PNEDA編號 DSK10E-AT1
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DSK10E-AT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DSK10E-AT1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
DSK10E-AT1, DSK10E-AT1數據表 (總頁數: 3, 大小: 28.67 KB)
PDFDSK10E-ET1數據表 封面
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DSK10E-AT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱R-1, Axial
供應商設備包裝-
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 60A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

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制造商

ON Semiconductor

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

480ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 400V

電容@ Vr,F

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