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DTA114ECAT116

DTA114ECAT116

僅供參考

型號 DTA114ECAT116
PNEDA編號 DTA114ECAT116
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA114ECAT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA114ECAT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
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DTA114ECAT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 100mA, 1V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 2mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

300MHz

功率-最大

200mW

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Surface Mount

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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