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DTA114TE-TP

DTA114TE-TP

僅供參考

型號 DTA114TE-TP
PNEDA編號 DTA114TE-TP
描述 TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 30 - 十月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA114TE-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA114TE-TP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTA114TE-TP, DTA114TE-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 247.78 KB)
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DTA114TE-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-523
供應商設備包裝SOT-523

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

125mW

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