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DTA115EET1G

DTA115EET1G

僅供參考

型號 DTA115EET1G
PNEDA編號 DTA115EET1G
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 156,066
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA115EET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA115EET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTA115EET1G, DTA115EET1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 88.92 KB)
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DTA115EET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)100 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75, SOT-416

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2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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