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DTC014YUBTL

DTC014YUBTL

僅供參考

型號 DTC014YUBTL
PNEDA編號 DTC014YUBTL
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC014YUBTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC014YUBTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC014YUBTL, DTC014YUBTL數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,424.24 KB)
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DTC014YUBTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-85
供應商設備包裝UMT3F

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50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

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300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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100nA (ICBO)

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