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DTC044TUBTL

DTC044TUBTL

僅供參考

型號 DTC044TUBTL
PNEDA編號 DTC044TUBTL
描述 TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC044TUBTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC044TUBTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC044TUBTL, DTC044TUBTL數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,278.16 KB)
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DTC044TUBTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)60mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-85
供應商設備包裝UMT3F

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電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

安裝類型

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1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

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