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DTC114ESATP

DTC114ESATP

僅供參考

型號 DTC114ESATP
PNEDA編號 DTC114ESATP
描述 TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC114ESATP資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC114ESATP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC114ESATP, DTC114ESATP數據表 (總頁數: 4, 大小: 65.25 KB)
PDFDTC114ESATP數據表 封面
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DTC114ESATP規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-72 Formed Leads
供應商設備包裝SPT

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

250mW

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Surface Mount

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電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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