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DVRN6056-7-F

DVRN6056-7-F

僅供參考

型號 DVRN6056-7-F
PNEDA編號 DVRN6056-7-F
描述 TRANS NPN 40V 0.6A SOT-26
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DVRN6056-7-F資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DVRN6056-7-F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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DVRN6056-7-F規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN + Zener Diode (Isolated)
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic750mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 150mA, 1V
功率-最大300mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6
供應商設備包裝SOT-26

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Diodes Incorporated

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 300mA, 6.5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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