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DXT5551P5-13

DXT5551P5-13

僅供參考

型號 DXT5551P5-13
PNEDA編號 DXT5551P5-13
描述 TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,048
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DXT5551P5-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DXT5551P5-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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DXT5551P5-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
功率-最大2.25W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerDI™ 5
供應商設備包裝PowerDI™ 5

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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700mV @ 125mA, 1A

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

2W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

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