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DXT651Q-13

DXT651Q-13

僅供參考

型號 DXT651Q-13
PNEDA編號 DXT651Q-13
描述 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DXT651Q-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DXT651Q-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
DXT651Q-13, DXT651Q-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 379.99 KB)
PDFDXT651Q-13數據表 封面
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DXT651Q-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 2V

功率-最大

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