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DZT853-13

DZT853-13

僅供參考

型號 DZT853-13
PNEDA編號 DZT853-13
描述 TRANS NPN 100V 6A SOT223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 41,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DZT853-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DZT853-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
DZT853-13, DZT853-13數據表 (總頁數: 4, 大小: 179.38 KB)
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DZT853-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic340mV @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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NPN

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 10mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 10V

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