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DZT955-13

DZT955-13

僅供參考

型號 DZT955-13
PNEDA編號 DZT955-13
描述 TRANS PNP 140V 4A SOT-223
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 6,552
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DZT955-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DZT955-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
DZT955-13, DZT955-13數據表 (總頁數: 4, 大小: 189.89 KB)
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DZT955-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)140V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic370mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Taiwan Semiconductor Corporation

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

200nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 80mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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