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ECH8655R-R-TL-H

ECH8655R-R-TL-H

僅供參考

型號 ECH8655R-R-TL-H
PNEDA編號 ECH8655R-R-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8655R-R-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8655R-R-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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  • ECH8655R-R-TL-H Distributor

ECH8655R-R-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A, 28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

功率-最大

16.7W, 31W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A, 1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 15V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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