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ECH8664R-TL-H

ECH8664R-TL-H

僅供參考

型號 ECH8664R-TL-H
PNEDA編號 ECH8664R-TL-H
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $2.9431
250 ---------- $2.8051
500 ---------- $2.6672
1,000 ---------- $2.5292
2,500 ---------- $2.4143
5,000 ---------- $2.2993
庫存 23,450
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8664R-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8664R-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8664R-TL-H, ECH8664R-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 297.2 KB)
PDFECH8664R-TL-H數據表 封面
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ECH8664R-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs23.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A, 33A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 15V

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3.6W, 4.3W

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