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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

僅供參考

型號 EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
PNEDA編號 EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
類別半導體內存IC內存

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EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小4Gb (128M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-WFBGA
供應商設備包裝134-FBGA (10x11.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

33MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

134-VFBGA

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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安裝類型

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (32M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

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