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EDB8164B4PR-1D-F-R TR

EDB8164B4PR-1D-F-R TR

僅供參考

型號 EDB8164B4PR-1D-F-R TR
PNEDA編號 EDB8164B4PR-1D-F-R-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
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庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB8164B4PR-1D-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB8164B4PR-1D-F-R TR
類別半導體內存IC內存
數據表
EDB8164B4PR-1D-F-R TR, EDB8164B4PR-1D-F-R TR數據表 (總頁數: 152, 大小: 1,983.99 KB)
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EDB8164B4PR-1D-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小8Gb (128M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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內存接口

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

1Gb (32M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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