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EDB8164B4PT-1DAT-F-D

EDB8164B4PT-1DAT-F-D

僅供參考

型號 EDB8164B4PT-1DAT-F-D
PNEDA編號 EDB8164B4PT-1DAT-F-D
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB8164B4PT-1DAT-F-D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB8164B4PT-1DAT-F-D
類別半導體內存IC內存
數據表
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EDB8164B4PT-1DAT-F-D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小8Gb (128M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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Alliance Memory, Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

3Mb (128K x 24)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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10ns

訪問時間

10ns

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3.135V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

256Mb (64M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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