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EDB8164B4PT-1DIT-F-D

EDB8164B4PT-1DIT-F-D

僅供參考

型號 EDB8164B4PT-1DIT-F-D
PNEDA編號 EDB8164B4PT-1DIT-F-D
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,696
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDB8164B4PT-1DIT-F-D資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDB8164B4PT-1DIT-F-D
類別半導體內存IC內存
數據表
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EDB8164B4PT-1DIT-F-D規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小8Gb (128M x 64)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱216-WFBGA
供應商設備包裝216-FBGA (12x12)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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MT49H32M18CSJ-25E:B

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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