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EDF8132A3MA-JD-F-R TR

EDF8132A3MA-JD-F-R TR

僅供參考

型號 EDF8132A3MA-JD-F-R TR
PNEDA編號 EDF8132A3MA-JD-F-R-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDF8132A3MA-JD-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDF8132A3MA-JD-F-R TR
類別半導體內存IC內存

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EDF8132A3MA-JD-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EPROM - OTP

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.8V ~ 6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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