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EDFP112A3PB-GD-F-R TR

EDFP112A3PB-GD-F-R TR

僅供參考

型號 EDFP112A3PB-GD-F-R TR
PNEDA編號 EDFP112A3PB-GD-F-R-TR
描述 IC DRAM 24G PARALLEL 800MHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EDFP112A3PB-GD-F-R TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EDFP112A3PB-GD-F-R TR
類別半導體內存IC內存

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EDFP112A3PB-GD-F-R TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR3
內存大小24Gb (192M x 128)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TA)
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

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工作溫度

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

1ms

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內存接口

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訪問時間

17ns

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