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EFC2J011NUZTDG

EFC2J011NUZTDG

僅供參考

型號 EFC2J011NUZTDG
PNEDA編號 EFC2J011NUZTDG
描述 MOSFET N-CH 12V 55A 10WLCSP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC2J011NUZTDG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC2J011NUZTDG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EFC2J011NUZTDG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 3.7µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

143pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2615pF @ 30V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A, 38A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 40V

功率-最大

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

功率-最大

3.2W

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120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 60V

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