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EFC4627R-TR

EFC4627R-TR

僅供參考

型號 EFC4627R-TR
PNEDA編號 EFC4627R-TR
描述 MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC4627R-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC4627R-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC4627R-TR, EFC4627R-TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 327.01 KB)
PDFEFC4627R-TR數據表 封面
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EFC4627R-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝4-EFCP (1.01x1.01)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1840pF @ 50V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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