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EFC4C002NLTDG

EFC4C002NLTDG

僅供參考

型號 EFC4C002NLTDG
PNEDA編號 EFC4C002NLTDG
描述 MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,464
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC4C002NLTDG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC4C002NLTDG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC4C002NLTDG, EFC4C002NLTDG數據表 (總頁數: 6, 大小: 419.57 KB)
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EFC4C002NLTDG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6200pF @ 15V
功率-最大2.6W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-XFBGA, WLCSP
供應商設備包裝8-WLCSP (6x2.5)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A (Ta), 2.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 10V, 705pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

748nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20600pF @ 25V

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404pF @ 20V

功率-最大

1.6W, 1.7W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

434nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19600pF @ 25V

功率-最大

1250W

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