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EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

僅供參考

型號 EFC6602R-TR
PNEDA編號 EFC6602R-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6602R-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6602R-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EFC6602R-TR, EFC6602R-TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 749.65 KB)
PDFEFC6602R-TR數據表 封面
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EFC6602R-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs55nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝EFCP2718-6CE-020

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

450A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 450A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 132mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1330nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

38000pF @ 800V

功率-最大

50mW

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

530mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 16V

功率-最大

400mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.3mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5448pF @ 25V

功率-最大

208W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15.1pF @ 3V

功率-最大

300mW

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